高通骁龙 8 Gen 1 的高性能伴随着高余热，这已不是什么秘密。这可以从某些评论(Oppo Find X5、小米 12、 摩托罗拉 Edge 30 Pro)中非常强烈的热量发展中看出，特别是在 SOC 的 CPU 和 GPU 单元都处于高压力下的基准测试中。最终，这种废热问题会导致性能大幅下降，从而导致 3DMark 压力测试明显不稳定。

这种现象可能部分归因于三星生产过程中的动态，但我们对一加 10T的评测 表明，骁龙 8+ Gen 1 并没有从根本上解决发热问题。至少在 OnePlus 10T 中，台积电及其 4nm 工艺的希望已经破灭。尽管 OnePlus 手机具有新的 Cryo Velocity Vapor 冷却系统和更高效的 SoC(Snapdragon 8+ Gen 1)，但我们测得的表面温度比10 Pro更高，接近 47°C 。这种水平的废热在系统稳定性方面也成为一个问题，因为电压和过热保护措施经常会启动。

然而，就效率而言，我们的测量结果表明，一加10T的功耗低于搭载Snapdragon 8 Gen 1的智能手机。尤其是在负载下，6瓦以下的峰值功耗明显低于10 Pro的11瓦以上。然而，改进的效率似乎只适用于 Cryo CPU 单元，正如 GeekBench 和 GFXBench(亮度为 150 cd/m²)值的比较所示。